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- 产品参数
- 图文介绍
- 企业简介
- 企业地址
产品参数
品牌
SI
型号
SI3473CDV-T1-GE3
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
P沟道
导电方式
增强型
用途
AM/调幅
封装外形
SMD(SO)/表面封装
材料
ALGaAS铝镓砷
图文介绍
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 3,000 |
FET 型 | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Logic Level Gate |
漏极至源极电压(VDSS) | 12V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 8A |
Rds( )@ ID,VGS | 22 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
VGS(TH)( )@ Id | 1V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 65nC @ 8V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 2010pF @ 6V |
功率 - | 4.2W |
安装类型 | Surface Mount |
包/盒 | 6-TSOP (0.065, 1.65mm Width) |
供应商器件封装 | 6-TSOP |
企业简介
企业法人:
钟少华
企业类型:
有限责任公司
成立日期:
2008-03-31
经营状态:
存续
工商注册号:
440301103257341
社会统一信用代码:
9144030067298257XE
组织机构代码:
67298257X
注册资金:
500.000000万人民币
经营范围:
一般经营项目是:电子产品的购销及其他国内贸易(以上均不含专营、专控、专卖商品及限制项目)。,许可经营项目是:
企业地址
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18988776985