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深圳市铭顺信电子有限公司

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IRF830 TO-220 场效应MOSFET 出售原装 深圳现货供应 IRF830PBF

价格
¥2.99
¥2.49
¥1.89
起订量 5-19个 20-199个 ≥200个
可售 8235个
  • 产品参数
  • 图文介绍
  • 企业简介
  • 企业地址
产品参数
品牌
原装
型号
IRF830
种类
绝缘栅(MOSFET)
沟道类型
N沟道
导电方式
增强型
图文介绍
标准包装1,000
FET 型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点Standard
漏极至源极电压(VDSS)500V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C4.5A
Rds( )@ ID,VGS1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
VGS(TH)( )@ Id4V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS38nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的610pF @ 25V
功率 - 74W
安装类型Through Hole
包/盒TO-220-3
供应商器件封装TO-220AB
包装材料Tube
包装3TO-220AB
通道模式Enhancement
漏源电压500 V
连续漏极电流4.5 A
RDS -于1500@10V mOhm
门源电压±20 V
典型导通延迟时间8.2 ns
典型上升时间16 ns
典型关闭延迟时间42 ns
工作温度-55 to 150 °C
安装Through Hole
标准包装Bulk
门源电压±20
包装宽度4.7(Max)
PCB3
功率耗散74000
漏源电压500
欧盟RoHS指令Not Compliant
漏源电阻1500@10V
每个芯片的元件数1
低工作温度-55
供应商封装形式TO-220AB
标准包装名称TO-220
高工作温度150
渠道类型N
包装长度10.41(Max)
引脚数3
包装高度9.01(Max)
连续漏极电流4.5
标签Tab
铅形状Through Hole
单位包0
小起订量1
FET特点Standard
封装Tube
安装类型Through Hole
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C4.5A (Tc)
的Vgs(th ) ( )@ Id4V @ 250µA
封装/外壳TO-220-3
供应商设备封装TO-220AB
开态Rds( )@ Id ,V GS1.5 Ohm @ 2.7A, 10V
FET型MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 74W
漏极至源极电压(Vdss)500V
输入电容(Ciss ) @ VDS610pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS38nC @ 10V
RoHS指令Contains lead / RoHS non-compliant
工厂包装数量1000
产品种类MOSFET
晶体管极性N-Channel
配置Single
源极击穿电压+/- 20 V
连续漏极电流4.5 A
安装风格Through Hole
RDS(ON)1.5 Ohms
功率耗散74 W
低工作温度- 55 C
上升时间16 ns
高工作温度+ 150 C
漏源击穿电压500 V
RoHSNo
下降时间16 ns
栅源电压( 值)�20 V
漏源导通电阻1.5 ohm
工作温度范围-55C to 150C
包装类型TO-220AB
极性N
类型Power MOSFET
元件数1
工作温度分类Military
漏源导通电压500 V
弧度硬化No
删除Not Compliant
品牌Vishay Semiconductors
身高15.49 mm
宽度4.7 mm
长度10.41 mm
技术Si

电子元器件专业配套 配套范围内:

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源自:深圳市铭顺信电子有限公司


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企业简介
联系信息:
林冰莹
联系电话:
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所在区域:
广东省深圳市华强北街道华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座7层705
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企业法人:
钟少华
企业类型:
有限责任公司
成立日期:
2008-03-31
经营状态:
存续
工商注册号:
440301103257341
社会统一信用代码:
9144030067298257XE
组织机构代码:
67298257X
注册资金:
500.000000万人民币
经营范围:
一般经营项目是:电子产品的购销及其他国内贸易(以上均不含专营、专控、专卖商品及限制项目)。,许可经营项目是:
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