标准包装 500

FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

FET特点 Standard

漏极至源极电压（VDSS） 600V

电流-连续漏极（编号）@ 25°C 11A

Rds（ ）@ ID，VGS 600 mOhm @ 6A, 10V

VGS（TH）（ ）@ Id 4V @ 250µA

栅极电荷（Qg）@ VGS 140nC @ 10V

输入电容（Ciss）@ Vds的 2700pF @ 25V

功率 - 180W

安装类型 Through Hole

包/盒 TO-247-3

供应商器件封装 TO-247-3

包装材料 Tube

包装 3TO-247AC

通道模式 Enhancement

漏源电压 600 V

连续漏极电流 11 A

RDS -于 600@10V mOhm

门源电压 ±20 V

典型导通延迟时间 18 ns

典型上升时间 37 ns

典型关闭延迟时间 88 ns

典型下降时间 36 ns

工作温度 -55 to 150 °C

安装 Through Hole

标准包装 Bulk

标准包装 Rail / Tube

门源电压 ±20

Package Width 5.31(Max)

PCB 3

功率耗散 180000

漏源电压 600

欧盟RoHS指令 Compliant

漏源电阻 600@10V

每个芯片的元件数 1

低工作温度 -55

供应商封装形式 TO-247AC

标准包装名称 TO-247

高工作温度 150

渠道类型 N

Package Length 15.87(Max)

引脚数 3

Package Height 20.7(Max)

连续漏极电流 11

标签 Tab

铅形状 Through Hole

单位包 25

小起订量 500

FET特点 Standard

封装 Tube

安装类型 Through Hole

电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C 11A (Tc)

的Vgs（th ） （ ）@ Id 4V @ 250µA

供应商设备封装 TO-247-3

其他名称 *IRFPC50PBF

开态Rds（ ）@ Id ，V GS 600 mOhm @ 6A, 10V

FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide

功率 - 180W

漏极至源极电压（Vdss） 600V

输入电容（Ciss ） @ VDS 2700pF @ 25V

闸电荷（Qg ） @ VGS 140nC @ 10V

封装/外壳 TO-247-3

RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

类别 Power MOSFET

配置 Single

外形尺寸 15.87 x 5.31 x 20.7mm

身高 20.7mm

长度 15.87mm

漏源电阻 0.6 Ω

高工作温度 +150 °C

功率耗散 180 W

低工作温度 -55 °C

包装类型 TO-247AC

典型栅极电荷@ VGS 140 nC V @ 10

典型输入电容@ VDS 2700 pF V @ 25

宽度 5.31mm

工厂包装数量 500

产品种类 MOSFET

晶体管极性 N-Channel

源极击穿电压 +/- 20 V

连续漏极电流 11 A

安装风格 Through Hole

RDS（ON） 600 mOhms

功率耗散 180 W

封装/外壳 TO-247AC

上升时间 37 ns

漏源击穿电压 600 V

RoHS RoHS Compliant By Exemption

下降时间 36 ns

栅源电压（ 值） 20 V

工作温度范围 -55C to 150C

极性 N

类型 Power MOSFET

元件数 1

工作温度分类 Military

漏源导通电压 600 V

弧度硬化 No

删除 Compliant

Continuous Drain Current Id :11A

Drain Source Voltage Vds :600V

On Resistance Rds(on) :600mohm

Rds(on) Test Voltage Vgs :10V

Threshold Voltage Vgs :4V

功耗 :180W

Operating Temperature Min :-55°C

Operating Temperature Max :150°C

Transistor Case Style :TO-247AC

No. of Pins :3

MSL :-

Current Id Max :11A

Current Temperature :25°C

Full Power Rating Temperature :25°C

Junction to Case Thermal Resistance A :0.65°C/W

On State Resistance Max :600mohm

工作温度范围 :-55°C to +150°C

Pulse Current Idm :44A

端接类型 :Through Hole

Voltage Vds :600V

Voltage Vds Typ :600V

Voltage Vgs Max :20V

Voltage Vgs Rds on Measurement :10V

Weight (kg) 0.006

Tariff No. 85412900

associated EYGA121807A

EYGA091203SM

FK 243 MI 247 O

FK 243 MI 247 H

SK 145/25 STS-220

MK3311

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IRFPC50PBF系列产品

型号 厂家 产品描述

IRFPC50 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC50A vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC50APBF vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC50LC vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC50LCPBF vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC40 rochester electronics

IRFPC40 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC40PBF vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 6.8A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC42 rochester electronics

IRFPC60 vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC60LC vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC60LCPBF vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC

IRFPC60PBF vishay / semiconductor Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-247AC