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- 产品参数
- 图文介绍
- 企业简介
- 企业地址
产品参数
品牌
原装
型号
IRFP264PBF
功率
1
特色服务
2
种类
绝缘栅(MOSFET)
导电方式
耗尽型
封装
Tube
图文介绍
标准包装 | 500 |
FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
FET特点 | Standard |
漏极至源极电压(VDSS) | 250V |
电流-连续漏极(编号)@ 25°C | 38A |
Rds( )@ ID,VGS | 75 mOhm @ 23A, 10V |
VGS(TH)( )@ Id | 4V @ 250µA |
栅极电荷(Qg)@ VGS | 210nC @ 10V |
输入电容(Ciss)@ Vds的 | 5400pF @ 25V |
功率 - | 280W |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
包装材料 | Tube |
包装 | 3TO-247AC |
通道模式 | Enhancement |
漏源电压 | 250 V |
连续漏极电流 | 38 A |
RDS -于 | 75@10V mOhm |
门源电压 | ±20 V |
典型导通延迟时间 | 22 ns |
典型上升时间 | 99 ns |
典型关闭延迟时间 | 110 ns |
典型下降时间 | 92 ns |
工作温度 | -55 to 150 °C |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Bulk |
标准包装 | Rail / Tube |
P( TOT ) | 280W |
匹配代码 | IRFP264PBF |
R( THJC ) | 0.45K/W |
LogicLevel | NO |
单位包 | 50 |
标准的提前期 | 14 weeks |
小起订量 | 500 |
Q(克) | 210nC |
无铅Defin | RoHS-conform |
汽车 | NO |
我(D ) | 38A |
V( DS ) | 250V |
技术 | 3rd Gen. |
的RDS(on ) at10V | 0.075Ohm |
FET特点 | Standard |
封装 | Tube |
安装类型 | Through Hole |
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C | 38A (Tc) |
的Vgs(th ) ( )@ Id | 4V @ 250µA |
供应商设备封装 | TO-247-3 |
其他名称 | *IRFP264PBF |
开态Rds( )@ Id ,V GS | 75 mOhm @ 23A, 10V |
FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
功率 - | 280W |
漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
输入电容(Ciss ) @ VDS | 5400pF @ 25V |
闸电荷(Qg ) @ VGS | 210nC @ 10V |
封装/外壳 | TO-247-3 |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
类别 | Power MOSFET |
渠道类型 | N |
配置 | Single |
外形尺寸 | 15.87 x 5.31 x 20.7mm |
身高 | 20.7mm |
长度 | 15.87mm |
漏源电阻 | 0.075 Ω |
高工作温度 | +150 °C |
功率耗散 | 280 W |
低工作温度 | -55 °C |
每个芯片的元件数 | 1 |
包装类型 | TO-247AC |
引脚数 | 3 |
典型栅极电荷@ VGS | 210 nC V @ 10 |
典型输入电容@ VDS | 5400 pF V @ 25 |
宽度 | 5.31mm |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | MOSFET |
晶体管极性 | N-Channel |
源极击穿电压 | +/- 20 V |
连续漏极电流 | 38 A |
安装风格 | Through Hole |
RDS(ON) | 75 mOhms |
功率耗散 | 280 W |
封装/外壳 | TO-247AC |
上升时间 | 99 ns |
漏源击穿电压 | 250 V |
RoHS | RoHS Compliant By Exemption |
下降时间 | 92 ns |
漏极电流( 值) | 38 A |
频率( ) | Not Required MHz |
栅源电压( 值) | �20 V |
输出功率( ) | Not Required W |
噪声系数 | Not Required dB |
漏源导通电阻 | 0.075 ohm |
工作温度范围 | -55C to 150C |
极性 | N |
类型 | Power MOSFET |
元件数 | 1 |
工作温度分类 | Military |
漏极效率 | Not Required % |
漏源导通电压 | 250 V |
功率增益 | Not Required dB |
弧度硬化 | No |
删除 | Compliant |
Continuous Drain Current Id | :38A |
Drain Source Voltage Vds | :250V |
On Resistance Rds(on) | :75mohm |
Rds(on) Test Voltage Vgs | :10V |
Threshold Voltage Vgs | :4V |
功耗 | :280W |
Operating Temperature Min | :-55°C |
Operating Temperature Max | :150°C |
Transistor Case Style | :TO-247AC |
No. of Pins | :3 |
MSL | :- |
SVHC | :No SVHC (19-Dec-2012) |
Current Id Max | :38A |
Current Temperature | :25°C |
Full Power Rating Temperature | :25°C |
Junction to Case Thermal Resistance A | :0.45°C/W |
引线间距 | :5.45mm |
No. of Transistors | :1 |
工作温度范围 | :-55°C to +150°C |
Pulse Current Idm | :150A |
端接类型 | :Through Hole |
Voltage Vds Typ | :250V |
Voltage Vgs Max | :20V |
Voltage Vgs Rds on Measurement | :10V |
电子元器件专业配套 配套范围内:
集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
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源自:深圳市铭顺信电子有限公司
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企业类型:
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成立日期:
2008-03-31
经营状态:
存续
工商注册号:
440301103257341
社会统一信用代码:
9144030067298257XE
组织机构代码:
67298257X
注册资金:
50.000000万人民币
经营范围:
电子产品的购销及其他国内贸易(以上均不含专营、专控、专卖商品及限制项目)。^
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