你可能还喜欢
-
我们用芯 你们放芯 以太网芯片【KSZ8081MLXIA-TR】深圳仓库现货 封装LQFP48 电子元器件 实单必成
¥17.50 -
我用芯 你放芯【LT6711GX】深圳实体仓库现货 电子元器件 封装BGA169 实单必成 价美联系客服
¥4.50 -
线性稳压器芯片【TPS7A1650QDGNRQ1】丝印PYAQ 封装MSOP8 实体深圳仓库现货 电子元器件 出售原装
¥17.80 -
电容式触摸传感器【MPR031EPR2】丝印M31 实体深圳仓库现货 封装DFN8 惊喜价格 电子元器件 可出样品
¥50.00 -
集成电路【SLE95050F2-0320】电子元器件 深圳实体仓库现货 封装QFN 价美咨询 可开发票 可出样品
¥18.00
- 产品参数
- 图文介绍
- 企业简介
- 企业地址
产品参数
品牌
原装
型号
TFP7433PZP
功率
2
特色服务
1
类型
通信IC
封装
QFP
图文介绍
| 标准包装 | 400 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Standard |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 100V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 75A |
| Rds（ ）@ ID，VGS | 10 mOhm @ 75A, 10V |
| VGS（TH）（ ）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 100nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 7300pF @ 25V |
| 功率 - | 208W |
| 安装类型 | Through Hole |
| 包/盒 | TO-220-3 |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 包装材料 | Tube |
| 包装 | 3TO-220AB |
| 通道模式 | Enhancement |
| 漏源电压 | 100 V |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| RDS -于 | 10@10V mOhm |
| 门源电压 | ±20 V |
| 典型导通延迟时间 | 70 ns |
| 典型上升时间 | 265 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 125 ns |
| 典型下降时间 | 115 ns |
| 工作温度 | -55 to 175 °C |
| 安装 | Through Hole |
| 标准包装 | Rail / Tube |
| 门源电压 | ±20 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 高工作温度 | 175 |
| 标准包装名称 | TO-220 |
| 低工作温度 | -55 |
| 渠道类型 | N |
| 漏源电阻 | 10@10V |
| 漏源电压 | 100 |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 供应商封装形式 | TO-220AB |
| 功率耗散 | 208000 |
| 连续漏极电流 | 75 |
| 引脚数 | 3 |
| 铅形状 | Through Hole |
| FET特点 | Standard |
| 封装 | Tube |
| 安装类型 | Through Hole |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 75A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （ ）@ Id | 4.5V @ 250µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 100V |
| 供应商设备封装 | TO-220 |
| 开态Rds（ ）@ Id ，V GS | 10 mOhm @ 75A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - | 208W |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 7300pF @ 25V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 100nC @ 10V |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 类别 | Power MOSFET |
| 外形尺寸 | 10.67 x 4.83 x 16.51mm |
| 身高 | 16.51mm |
| 长度 | 10.67mm |
| 漏源电阻 | 10 mΩ |
| 高工作温度 | +175 °C |
| 功率耗散 | 208 W |
| 低工作温度 | -55 °C |
| 包装类型 | TO-220 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 76 nC V @ 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 5500 pF V @ 25 |
| 宽度 | 4.83mm |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 配置 | Single |
| 源极击穿电压 | +/- 20 V |
| 连续漏极电流 | 75 A |
| 系列 | FDP100N10 |
| 单位重量 | 0.063493 oz |
| RDS（ON） | 10 mOhms |
| 功率耗散 | 208 W |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-220AB |
| 上升时间 | 265 ns |
| 漏源击穿电压 | 100 V |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 下降时间 | 115 ns |
| 栅源电压（ 值） | �20 V |
| 漏源导通电阻 | 0.01 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 175C |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 100 V |
| 弧度硬化 | No |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 100 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | PowerTrench |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 75 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 10 mOhms |
| Pd - Power Dissipation | 208 W |
| 技术 | Si |
电子元器件专业配套 配套范围内：
集成电路 IC芯片 二三极管 光耦 继电器 电源模块 IGBT 可控硅
另外电容电阻（支持拆样）开关插座 端子排针 蜂鸣器 LED 数码管 电位器等全系列元件！
为了更好的解决您的问题，请您务必在下单前，将产品的封装，后缀告诉我们，
以便我们能准确迅速的为您查询，由于采购批量与样品的价格不同，网上无法统一注明，
有时元器件厂商价格稍许变动，本公司未能及时调整，如您觉得价格偏高请与我们说明议价，我们会根据市场情况给您相应的优惠，同时利用我司销售多年电子元件的经验，为您解决假货、价高、种类多等一系列问题!为客户提供 正品货源，及优势价格是我们的职责!感谢支持！
源自：深圳市铭顺信电子有限公司
官网：www.msxic.cn
您身边的专业电子元器件配套供应商
联系方式:
电话： 廖先生
QQ：2355513224
真诚期待与您合作共赢！
企业简介
企业法人：
钟少华
企业类型：
有限责任公司
成立日期：
2008-03-31
经营状态：
存续
工商注册号：
440301103257341
社会统一信用代码：
9144030067298257XE
组织机构代码：
67298257X
注册资金：
500.000000万人民币
经营范围：
一般经营项目是：电子产品的购销及其他国内贸易（以上均不含专营、专控、专卖商品及限制项目）。，许可经营项目是：
企业地址
店铺新品
- 产品参数
- 图文介绍
- 企业简介
- 企业地址
18988776985
