出售原装 STD12NF06L 12N06 N沟道MOS管TO-252封装12A/60V 现货供应

价格	¥1.99	¥1.50
起订量	10-49个	≥50个

封装

TO-252

6800个可售

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产品参数

品牌

原装

型号

STD12NF06L

特色服务

导电方式

增强型

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

封装

TO-252

图文介绍

标准包装	75
FET 型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点	Logic Level Gate
漏极至源极电压（VDSS）	60V
电流-连续漏极（编号）@ 25°C	12A
Rds（）@ ID，VGS	100 mOhm @ 6A, 10V
VGS（TH）（）@ Id	2V @ 250µA
栅极电荷（Qg）@ VGS	10nC @ 5V
输入电容（Ciss）@ Vds的	350pF @ 25V
功率 -	30W
安装类型	Through Hole
包/盒	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
供应商器件封装	I-Pak
包装材料	Tube
包装	3IPAK
通道模式	Enhancement
漏源电压	60 V
连续漏极电流	12 A
RDS -于	100@10V mOhm
门源电压	±16 V
典型导通延迟时间	10 ns
典型上升时间	35 ns
典型关闭延迟时间	20 ns
典型下降时间	13 ns
工作温度	-55 to 175 °C
安装	Through Hole
标准包装	Rail / Tube
门源电压	±16
欧盟RoHS指令	Compliant
高工作温度	175
标准包装名称	IPAK
低工作温度	-55
渠道类型	N
封装	Tube
漏源电阻	100@10V
漏源电压	60
每个芯片的元件数	1
供应商封装形式	IPAK
功率耗散	30000
连续漏极电流	12
引脚数	3
铅形状	Through Hole
FET特点	Logic Level Gate
安装类型	Through Hole
电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C	12A (Tc)
的Vgs（th ）（）@ Id	2V @ 250µA
漏极至源极电压（Vdss）	60V
供应商设备封装	I-Pak
开态Rds（）@ Id ，V GS	100 mOhm @ 6A, 10V
FET型	MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 -	30W
输入电容（Ciss ） @ VDS	350pF @ 25V
闸电荷（Qg ） @ VGS	10nC @ 5V
封装/外壳	TO-251-3 Long Leads, IPak, TO-251AB
RoHS指令	Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量	75
产品种类	MOSFET
晶体管极性	N-Channel
配置	Single
源极击穿电压	+/- 16 V
连续漏极电流	12 A
正向跨导 - 闵	7 S
安装风格	Through Hole
RDS（ON）	100 mOhms
功率耗散	30 W
低工作温度	- 55 C
封装/外壳	IPAK
上升时间	35 ns
高工作温度	+ 175 C
漏源击穿电压	60 V
RoHS	RoHS Compliant
下降时间	13 ns
栅源电压（值）	�16 V
漏源导通电阻	0.1 ohm
工作温度范围	-55C to 175C
包装类型	IPAK
极性	N
类型	Power MOSFET
元件数	1
工作温度分类	Military
漏源导通电压	60 V
弧度硬化	No

【出售原装】STD12NF06L 12N06 N沟道MOS管TO-252封装12A/60V示例图4

企业简介

深圳市铭顺信电子有限公司

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广东省深圳市华强北街道华航社区深南中路3006号佳和华强大厦A座7层705

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企业法人：

钟少华

企业类型：

有限责任公司

成立日期：

2008-03-31

经营状态：

存续

工商注册号：

440301103257341

社会统一信用代码：

9144030067298257XE

组织机构代码：

67298257X

注册资金：

500.000000万人民币

经营范围：

一般经营项目是：电子产品的购销及其他国内贸易（以上均不含专营、专控、专卖商品及限制项目）。，许可经营项目是：

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