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锗单晶锗单晶的制备方法有两种:一种是直拉法,另一种是区熔匀平法。
①直拉法是将锗锭置于坩埚中熔化,然后用一固定在拉杆上的锗晶体作籽晶,垂直浸入温度略高于熔点的熔融锗中,以一定的速度从熔体向上拉出,熔融锗便按籽晶的结晶方向凝固。通过控制拉速、坩埚和籽晶转速等措施,以及自动控制炉温和单晶直径等技术,可以制成n型电阻率为 0.003~40欧姆•厘米、p型电阻率为0.002~40欧姆•厘米、位错密度为500~3000厘米-2、直径为20~300毫米的锗单晶。
②区熔匀平法所用的炉子为水平式石英管加热炉,能生产电阻率均匀的锗单晶,电阻率的径向均匀度为±3%,纵向均匀度为±7%,位错密度为103厘米^-2,单晶截面为5~12厘米^2。
锗的回收
根据美国地质调查局2014年发布数据显示,全球锗总消费量的30%来源于回收材料。下面具体介绍了加工废料中锗的回收和锌冶炼工艺中锗的回收:
加工废料中锗的回收
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