磁阻效应综合实验仪型号:HLD-MRE-II库号：M405325

本仪器采用两种材料的传感器：   （GaAS）霍尔传感器和锑化铟（InSb）传感器，可研究半导体的霍尔效应和磁阻效应两种物理实验规律。仪器具有研究性和设计性两大特点，可用于理工科大学的基础性物理实验和设计性综合物理实验，也可用于演示实验。

技术参数：

1、励磁恒流源：0～1.0A连续可调，分辨率1mA，三位半数字显示；

2、恒流输出电流：0～3mA，连续可调，供锑化铟传感器工作的电流；

3、电压表：量程0～1999.9mV，分辨率0.1mV，四位半数字显示；，

4、数字式毫特仪：四位半数字显示，测量范围0～1000mT，分辨率0.1 mT；

5、交流励磁电压VP-P≥12V,频率≤10HZ；

6、电磁铁，缝隙约5mm；

7、移动尺装置：横向移动距离0～40mm；

8、仪器采用进口多圈电位器；

9、励磁电流采用六脚船型换向开关；

实验内容：

1、研究磁阻传感器电阻与磁感强度的曲线；

2、了解磁阻传感器的工作原理；

3、测量电磁铁气隙处X方向磁场强度的分布；

4、观察磁阻元件的倍频效应。

重量约10kg左右